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Transistor de poder MRF21045LR3 do RF - Motorola, Inc - transistor de efeito de campo do poder do RF

Transistor de poder MRF21045LR3 do RF - Motorola, Inc - transistor de efeito de campo do poder do RF

RF Power Transistors MRF21045LR3 - Motorola, Inc - RF Power Field Effect Transistors

Detalhes do produto:

Lugar de origem: FILIPINO
Marca: Motorola, Inc
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: MRF21045LR3

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 50
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: Contato para a amostra
Tempo de entrega: no prazo de 3 dias
Termos de pagamento: T/T adiantado, Paypal, Western Union
Habilidade da fonte: 5000
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Descrição de produto detalhada

 

Detalhe rápido:

 

Transistor de efeito de campo do poder do RF

 

 

Descrição:

 

Projetado para aplicações da estação base de W-CDMA com freqüências desde 2110 até 2170 megahertz. Apropriado para TDMA, CDMA e aplicações mais multicarrier do amplificador. Para para ser usado na classe AB para o PCN - o rádio de PCS/cellular e aplicações

 

 

Aplicações:

 

• 2 desempenho típico do portador W-CDMA para VDD = 28 volts, IDQ = 500 miliampères,

f1 = 2135 megahertz, f2 = 2145 megahertz, largura de faixa do canal = 3,84 megahertz, canais adjacentes medidos sobre uma largura de faixa de 3,84 megahertz no f1 -5 megahertz e f2 +5 megahertz, produtos da distorção medidos sobre uma largura de faixa de 3,84 megahertz no f1 -10 megahertz e f2 +10 megahertz, pico/Avg. = DB 8,3 @ 0,01% probabilidades em CCDF.

Ó potência de saída 10 watts de Avg.

Ó 23,5% da eficiência

DB do ó 15 do ganho

IM3 dBc do ó -37,5

DBc do ó -41 de ACPR

• Q internamente combinado, controlado, para a acessibilidade

• Ganho alto, eficiência elevada e linearidades altas

• Proteção integrada do ESD

• Projetado para o nivelamento máximo da fase do ganho e da inserção

• Capaz de segurar o 5:1 VSWR, @ 28 VDC, 2170 megahertz, 45 watts de CW potência de saída

• Estabilidade térmica excelente

• Caracterizado com parâmetros equivalentes da impedância do Grande-Sinal da série

• Baixa espessura em ligações, substantivo do chapeamento de ouro do ″ 40µ.

• Na fita e no carretel. Sufixo R3 = 250 unidades por 32 milímetros, carretel de 13 polegadas.

 

 

Especificações:

 

Folha de dados

Série MRF21045

Obsolência do PCN

Dispositivos RF 01/Jul/2010

Pacote padrão

250

Categoria

Produtos de semicondutor discretos

Família

FETs do RF

Série

-

Empacotamento

Fita & carretel (TR)

Tipo do transistor

LDMOS

Freqüência

2.16GHz

Ganho

15dB

Tensão - teste

28V

Avaliação atual

10µA

Figura de ruído

-

Atual - teste

500mA

Saídas de potência

10W

Tensão - avaliado

65V

Pacote/caso

NI-400

Pacote do dispositivo do fornecedor

NI-400-240

 

 

Vantagens competitivas:

 

Garantia: 180 dias!
Transporte livre: Ordem sobre a vitória $1000 uma taxa livre da expedição
(peso dos bens abaixo de 3Kg), durante 20130901-20130930.


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