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Microplaqueta de alta velocidade de IC da memória Flash de RAM estático do bocado de K6R4008C1D-KI10 Samsung 256Kx16

Microplaqueta de alta velocidade de IC da memória Flash de RAM estático do bocado de K6R4008C1D-KI10 Samsung 256Kx16

    • K6R4008C1D-KI10 Samsung- 256Kx16 Bit High Speed Static RAM  Flash Memory IC Chip
    • K6R4008C1D-KI10 Samsung- 256Kx16 Bit High Speed Static RAM  Flash Memory IC Chip
  • K6R4008C1D-KI10 Samsung- 256Kx16 Bit High Speed Static RAM  Flash Memory IC Chip

    Detalhes do produto:

    Lugar de origem: FILIPINO
    Marca: Samsung semiconductor
    Certificação: Lead free / RoHS Compliant
    Número do modelo: K6R4008C1D-KI10

    Condições de Pagamento e Envio:

    Quantidade de ordem mínima: 50
    Preço: Contact for Sample
    Detalhes da embalagem: Contato para a amostra
    Tempo de entrega: no prazo de 3 dias
    Termos de pagamento: T/T adiantado, Paypal, Western Union
    Habilidade da fonte: 5000
    Entre em contacto agora
    Descrição de produto detalhada
    K6R4016C1D-10 de funcionamento:: 65mA (máximo) Controle do byte de dados:: Libra: I/O1~ I/O8, UB: I/O9~ I/O16
    Pacote: BGA Apoio (TTL):: 20mA (máximo)

     

    K6R4008C1D-KI10 - Semicondutor de Samsung - 256Kx16 bocado RAM estático de alta velocidade (funcionamento 5.0V). Operado no anúncio publicitário e

     

    Detalhe rápido:

     

    256Kx16 bocado RAM estático de alta velocidade (funcionamento 5.0V). Operado na temperatura comercial e industrial

    Escalas.

     

     

    Descrição:

     

    O K6R4016C1D é uma memória de acesso aleatório estática de alta velocidade de 4.194.304 bocados organizada como 262.144 palavras por 16 bocados. O K6R4016C1D usa 16 linhas comuns de entrada e de saída e manda uma saída permitir o pino que se opera mais rapidamente do que o tempo de acesso de endereço no ciclo lido. Igualmente reserva que abaixa e acesso superior do byte pelo controle do byte de dados (UB, libra). O dispositivo é fabricado usando o processo avançado SAMSUNG¢s do CMOS e projetado para a tecnologia de circuito de alta velocidade. É particularmente bom - serido para o uso em aplicações de sistema de alta velocidade high-density.

    O K6R4016C1D é empacotado em um SOJ do plástico do pino 400mil 44 ou um TSOP (II) para a frente ou 48 T BGA.

     

     

    Aplicações:

     

    • Tempo de acesso rápido 10ns (máximo)

    • Dissipação de baixa potência

     Apoio (TTL): 20mA (máximo)

     (CMOS): 5mA (máximo)

     K6R4016C1D-10 de funcionamento: 65mA (máximo)

    • Escolha a fonte de alimentação de 5.0V±10%

    • Entradas e saídas compatíveis de TTL

    • Operação inteiramente estática

     - Nenhum pulso de disparo ou Refresh exigiram

    • Três saídas do estado

    • Configuração Center do poder/Pin da terra

    • Controle do byte de dados: Libra: I/O1~ I/O8, UB: I/O9~ I/O16

    • Configuração de Pin padrão

     K6R4016C1D-J: 44-SOJ-400

     K6R4016C1D-K: 44-SOJ-400 (sem chumbo)

     K6R4016C1D-T: 44-TSOP2-400BF

     K6R4016C1D-U: 44-TSOP2-400BF (sem chumbo)

     K6R4016C1D-E: 48-TBGA com 0,75 passos da bola

     (7mm x 9mm)

    • Funcionamento na variação da temperatura comercial e industrial

     

     

    Especificações:

     

    número da peça.

    K6R4008C1D-KI10

    Fabricante

    Semicondutor de Samsung

    capacidade da fonte

    10000

    datecode

    10+

    pacote

    BGA

    observação

    estoque novo e original

     

     

    Vantagens competitivas:

     

    Garantia: 180 dias!
    Transporte livre: Ordem sobre a vitória $1000 uma taxa livre da expedição
    (peso dos bens abaixo de 3Kg), durante 20130901-20130930.


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