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Casa Produtosmicroplaqueta do circuito integrado

Microplaqueta K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x do circuito integrado 4 bancos SDRAM móvel em 90FBGA

Microplaqueta K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x do circuito integrado 4 bancos SDRAM móvel em 90FBGA

    • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
    • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
  • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA

    Detalhes do produto:

    Lugar de origem: COREIA
    Marca: SAMSUNG
    Certificação: LEAD FREE/ROHS COMPLIANT
    Número do modelo: K4M513233C-DN75

    Condições de Pagamento e Envio:

    Quantidade de ordem mínima: 1
    Preço: Contact for Sample
    Detalhes da embalagem: Contato para a amostra
    Tempo de entrega: Stock
    Termos de pagamento: T/T adiantado, Paypal, Western Union
    Habilidade da fonte: 9600
    Entre em contacto agora
    Descrição de produto detalhada
    Pacote: 90FBGA marca: SAMSUNG
    fonte de alimentação.: • 3.0V & 3.3V Operação comercial da temperatura: (- 25°C ~ 70°C).

    Detalhe rápido:

    4M x 32Bit x 4 bancos SDRAM móvel em 90FBGA

    Descrição:

    O K4M513233C é uma taxa de 536.870.912 dados alta síncrono RAM dinâmico dos bocados organizado como 4 x 4.196.304 palavras por 32 bocados, fabricados com tecnologia do CMOS do elevado desempenho de SAMSUNG. O projeto síncrono permite o controle preciso do ciclo com o uso do pulso de disparo de sistema e as transações do I/O são possíveis em cada ciclo de pulso de disparo. A escala de frequências de funcionamento, os comprimentos programáveis da explosão e as latências programáveis permitem que o mesmo dispositivo seja útil para uma variedade de aplicações de sistema altas da largura de banda e da memória do elevado desempenho

     

    Aplicações:

    •  fonte de alimentação 3.0V & 3.3V.

    •  LVCMOS compatível com endereço multiplexado.

    •  Operação de quatro bancos.

    •  SRA. ciclo com programas da chave de endereço.

         -. Latência de CAS (1, 2 & 3).

         -. Comprimento da explosão (1, 2, 4, 8 & págiana inteira).

         -. Tipo da explosão (sequencial & intercalação).

    •  Ciclo de EMRS com programas da chave de endereço.

    •  Todas as entradas são provadas na borda indo positiva do sistema

        pulso de disparo.

    •  A explosão leu o único-bocado escreve a operação.

    •  Apoio da função especial.

         -. PASR (o auto parcial da disposição refresca).

         -. TCSR interno (o auto compensado temperatura refresca)   

    •   DQM para mascarar.

    •  O automóvel refresca.

    •  64ms refrescam o período (ciclo 8K).

    •  Operação comercial da temperatura (- 25°C ~ 70°C).

    •  Operação prolongada da temperatura (- 25°C ~ 85°C).

    •  90Balls FBGA

    Especificações:

    número da peça.

    K4M513233C-DN75

    Fabricante

    SAMSUNG

    capacidade da fonte

    1920

    datecode

    07+

    pacote

    BGA

    observação

    estoque novo e original

     

    NÚMERO DA PEÇA QTY MFG Pacote
    MC74HC595ADTR2G 10000 EM TSSIP
    MC74HC165ADTR2G 7800 EM TSSOP
    LM4871MM 4000 NS MSOP
    ADXL335BCPZ 22000 ANÚNCIO LFCSP-16
    PIC16F648A I/P 30000 MICROCHIP MERGULHO
    88SA8040B1-NNC1C000 20000 MARVELL QFN
    DF08M 45000 SETEMBRO MERGULHO
    FR9618SPCTR 10000 Franco SOP-8

    Vantagens competitivas:

     

     A eletrônica mega da fonte armazena os componentes prontos para enviar. Os circuitos integrados e os semicondutores dificeis de encontrar, obsoletos e altamente atribuídos são todos podem ser encontrados por nós.

    A eletrônica mega da fonte estabeleceu um sistema aperfeiçoado da logística e uma rede global da logística, que pudessem garantir nosso serviço muito rápido, conveniente e eficiente.

     

     

    Contacto
    Mega Source Elec.Limited

    Pessoa de Contato: Ms. Tara Chan

    Telefone: 86-755-83690382

    Fax: 86-755-61624128

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